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    • 专利摘要:
    本發明提供一種在進行低介電常數膜的損傷復原處理時，可維持較低的相對介電常數或漏電流值並且去除內部水分之處理方法。當對形成於被處理基板上並於表面部分具有損傷層的低介電常數膜施行復原處理時；使第1處理氣體以及第2處理氣體作用於低介電常數膜的損傷層；該第1處理氣體，其分子小至可滲透至低介電常數膜的損傷層內部之程度，並可去除損傷層內的水分；該第2處理氣體，於損傷層的表面形成疏水性且緻密的改質層。
    公开号:TW201308426A
    申请号:TW101109106
    申请日:2012-03-16
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Wataru Shimizu；Kiyoshi Maeda；Toshifumi Nagaiwa
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    處理方法及記憶媒體
    本發明有關於一種例如進行將在作為層間絕緣膜使用的低介電常數膜上由蝕刻或灰化所形成的損傷加以復原之處理之處理方法，以及記憶有執行此等處理方法的程式之記憶媒體。
    最近，對應半導體元件的高速化、配線圖案的細微化、高積體化之要求，而謀求配線間的電容降低以及配線的導電性提升還有電遷移抗性的提升；與之相對應，配線材料則使用導電性高於習知的鋁(Al)或鎢(W)且電遷移抗性優良之銅(Cu)；而作為形成Cu配線之技術，大多使用預先於層間絕緣膜等中形成配線溝或連接孔，並於其中埋入Cu之金屬鑲嵌法(例如參照專利文獻1)。
    另一方面，隨著半導體裝置的細微化，層間絕緣膜所具有之寄生電容在提升配線的表現方面成為重要的因素；而持續使用以低介電常數材料所構成的低介電常數膜(Low-k膜)作為層間絕緣膜。作為構成Low-k膜的材料，一般使用的是具有甲基等烷基作為末端基者。
    不過，在上述習知的金屬鑲嵌製程中，在蝕刻或光阻膜去除(灰化)時，Low-k膜會受到損傷。此種損傷，會帶來Low-k膜的相對介電常數或漏電流值之上升，並損害將Low-k膜作為層間絕緣膜使用之效果。
    作為使此種損傷復原的技術，專利文獻2中提到了：在蝕刻或光阻膜去除之後，使用TMSDMA(N-Trimethylsilyldimethylam ine，三甲矽基二甲胺)之類的矽烷化劑等來進行復原處理。此處理，係以矽烷化劑之類的具有甲基之處理氣體來將受到損傷而末端基變為-OH基之損傷層的表面予以改質，而使甲基或含甲基的基為末端基。 [習知技術文獻] [專利文獻]
    專利文獻1：日本特開2002-083869號公報
    專利文獻2：日本特開2006-049798號公報
    不過，最近作為Low-k膜，大多使用相對介電常數更低並具有多數個氣孔之多孔性Low-k膜(以下稱為多孔Low-k膜)，但多孔Low-k膜若受到損傷，則不僅是損傷層的表面，連內部的孔洞部分亦呈親水性，內部的孔洞中亦有水分吸附。在此狀態下若使用TMSDMA(N-Trimethylsilyldimethylamine，三甲矽基二甲胺)之類的矽烷化劑等來進行復原處理，則Low-k膜的表面被改質而緻密化，卻會封閉吸附在內部孔洞之水分。如此封閉的水分若在裝置的形成過程中，因某原因而排出至外部，則會帶來使金屬阻障層或配線等氧化的不良影響。
    本發明係鑑於此等情事所製成，目的在於提供一種進行低介電常數膜的損傷復原處理時，可維持較低的相對介電常數或漏電流值，並且去除內部水分之處理方法。
    又，本發明的目的在提供一種記憶有用以執行此等方法的程式之記憶媒體。
    為了解決上述問題，本發明提供一種處理方法，對形成於被處理基板上並於表面部分具有損傷層的低介電常數膜施行復原處理；其特徵在於：使第1處理氣體以及第2處理氣體作用於該低介電常數膜的該損傷層；該第1處理氣體，其分子小至可滲透至該低介電常數膜的該損傷層內部之程度，並可去除該損傷層內的水分；該第2處理氣體，於該損傷層的表面形成疏水性且緻密的改質層。
    在本發明中，能使該第1處理氣體以及該第2處理氣體在混合狀態下作用於該損傷層。又，能以該第1處理氣體進行處理之後，再以該第2處理氣體進行處理。
    作為該第1處理氣體，可使用：其分子進入損傷層內部使脫水反應產生者。又，作為該第2處理氣體，可使用：含有Si及/或C，並藉由甲基使該損傷層表面部分復原者，或在該損傷層表面部分上形成更緻密的膜者。
    可使用DMC作為該第1處理氣體，使用TMSDMA作為該第2處理氣體。
    本發明又提供一種記憶媒體，記憶有用以在電腦上動作來控制處理裝置的程式，其特徵在於：該程式在執行時，使電腦控制該處理裝置，以進行上述處理方法。
    根據本發明，可使第1處理氣體進入損傷層內來去除其中的水分，並使第2處理氣體在損傷層表面形成疏水性且緻密的改質層，故可在損傷層表面使損傷復原來降低相對介電常數或漏電流值，同時藉由疏水性且緻密的改質層，不讓新的水分進入膜內，而維持少許的低介電常數層內的水分。[實施發明之最佳形態]
    以下，參照附加圖式，對本發明的實施形態進行說明。 <用以實施復原處理之裝置>
    圖1係顯示用以實施依本發明實施形態的方法之處理裝置的一例之剖面圖。此處理裝置1，係用以進行於被處理基板即晶圓W上所形成的多孔Low-k膜之損傷復原處理之裝置，並具有收容晶圓W的腔室11。於腔室11的內部，設有用以水平支持被處理基板即晶圓W之載置台12。此載置台12，由從腔室11的底部中央往上方延伸之圓筒狀的支持構件13所支持。又，載置台12中埋入有電阻加熱型的加熱器15；此加熱器15係由加熱器電源16供電來將載置台12加熱，以該熱將載置台12上的晶圓W加熱。又，載置台12中，插入有熱電偶(未圖示)，可將晶圓W控制成既定的溫度。載置台12中，用以支持晶圓W並使其升降之3根(僅圖示2根)晶圓支持銷18係以可相對於載置台12的表面伸出縮入之方式設置。
    腔室11的頂部成為開口部，沿著腔室11的頂端部設有環狀的封蓋19。而在此封蓋19上支持有將處理氣體以及稀釋氣體導入之氣體導入頭20；此氣體導入頭20，係由密封構件(未圖示)而相對於腔室11氣密地密封。於此氣體導入頭20的頂部之中央，連接有氣體供給配管21。於氣體導入頭20的內部，形成有連繫至氣體供給配管21的氣體流路22。氣體供給配管21，連接有第1處理氣體配管23、第2處理氣體配管24以及稀釋氣體供給配管25。
    第1處理氣體配管23中，插設有汽化器26、用以控制處理氣體的流量之質量流量控制器27以及閘閥28。又，汽化器26連接有第1藥劑配管29，其從用以供給第1處理氣體並儲存液體狀第1藥劑之第1藥劑儲存部30延伸；第1藥劑配管29中設有閘閥31。而藉由氣體壓送等使液體狀的第1藥劑從第1藥劑儲存部30通過第1藥劑配管29送至汽化器26，使在汽化器26汽化所產生的第1處理氣體送至第1處理氣體配管23。
    第2處理氣體配管24中，插設有汽化器32、用以控制處理氣體的流量之質量流量控制器33以及閘閥34。又，汽化器32連接有第2藥劑配管35，其從用以供給第2處理氣體並儲存液體狀第2藥劑之第2藥劑儲存部36延伸；第2藥劑配管35中設有閘閥37。而藉由氣體壓送等使液體狀的第2藥劑從第2藥劑儲存部36通過第2藥劑配管35送至汽化器32，使在汽化器32汽化所產生的第2處理氣體送至第2處理氣體配管24。
    於稀釋氣體供給配管25的另一端，連接有供給稀釋氣體之稀釋氣體供給源38。又，稀釋氣體供給配管25中，插設有控制稀釋氣體的流量之質量流量控制器39以及其前後的閘閥40。作為稀釋氣體可使用N2氣體。又，亦可使用Ar氣體等稀有氣體。
    第1處理氣體，其分子小至可滲透至多孔Low-k膜的損傷層內部之程度，並具有在損傷層內部例如產生脫水反應等藉以去除(固定)孔洞內部的水分之作用，可舉出碳酸二甲酯(Dimethylcarbonate，DMC)、重氮甲烷(Diazomethane)等。作為第1處理氣體，宜為其分子小於損傷層的孔洞而進入損傷層的內部使脫水反應產生。
    第2處理氣體，係對因蝕刻或灰化而受到損傷的多孔Low-k膜的損傷層的表面部分藉由例如甲基(-CH3)進行復原(修復)，而於多孔Low-k膜的表面形成緻密膜，為含有Si及/或C之氣體，可舉出TMSDMA(N-Trimethylsilyldimethylamine，三甲矽基二甲胺)、DMSDMA(Dimethylsilyldimethylamine，二甲矽基二甲胺)、TMDS(1,1,3,3-Tetramethyldisilazane，四甲基二矽氮烷)、TMSPyrole(1-Trimethylsilylpyrole，三甲矽基吡咯)、BSTFA(N,O-Bis(trimethylsilyl)trifluoroacetamide，雙三甲基矽基三氟乙醯胺)、BDMADMS(Bis(dimethylamino)dimethylsilane，雙(二甲胺)二甲基矽烷)等矽烷化劑。使用矽烷化劑時，將膜表面的損傷部分(Si-OH部分)置換為Si-CH3，來形成疏水性的緻密膜。
    腔室11的側壁上，設有晶圓移入移出口42，此晶圓移入移出口42可由門閥43進行開閉。而在門閥43開啟狀態下，具有鄰接腔室11之運送裝置，可在與保持真空的運送室(未圖示)之間進行晶圓W的移入移出。
    於腔室11的底部之周緣部設有排氣口44，此排氣口44連接有排氣管45。排氣管45連接有具有真空泵浦等之排氣機構46。排氣管45的排氣機構46之上游側中設有自動壓力控制閥(APC)47以及開閉閥48。從而，藉由壓力感測器(未圖示)測定腔室11內的壓力，並控制自動壓力控制閥(APC)47的開度，且藉由排氣機構46將腔室11內排氣，因而可將腔室11內控制在既定的壓力。又，在處理時當腔室11內的壓力變為既定的值時可藉由開閉閥48來進行處理氣體的封入。
    處理裝置1更具有控制部50。控制部50，用以控制處理裝置1的各構成部，並具有實際控制此等各構成部的微處理器(電腦)之製程控制器51。製程控制器51連接有使用者介面52，其由操作者用以管理處理裝置1而進行指令等輸入操作之鍵盤、或將處理裝置1的運轉狀況可視化顯示的顯示器等所構成。又，製程控制器51連接有記憶部53，其儲存有用以控制處理裝置1的各構成部的控制對象之控制程式，或用以對處理裝置1進行既定處理的程式亦即處理程序。處理程序儲存於記憶部53之中的記憶媒體。記憶媒體，亦可為硬碟之類的固定物，亦可為CDROM、DVD、快閃記憶體等可移動物。又，亦可從其他裝置透過例如專用線路來適當地傳送程序。而因應需要，以來自使用者介面52的指示等將任意的處理程序從記憶部53中叫出而於製程控制器51中執行，藉以在製程控制器51的控制下進行既定的處理。 <復原處理的實施形態>
    其次，藉由如此構成的處理裝置1，來說明對於具有已形成損傷的多孔Low-k膜之晶圓W進行復原處理之處理方法的實施形態。
    在此，藉由第1處理氣體以及第2處理氣體，將用以藉由雙重金屬鑲嵌法等形成配線溝或連接孔之蝕刻或灰化時多孔Low-k膜所受到的損傷予以復原。
    作為多孔Low-k膜，可適用以SOD(Spin On Dielectric，旋轉塗布介電)裝置形成的MSQ(methyl-hydrogen-SilsesQuioxane，甲基氫倍半矽氧烷)、以CVD形成的無機絕緣膜之一即SiOC系膜(係將甲基(-CH3)導入習知的SiO2膜的Si-O鍵結，使Si-CH3鍵結混合者，其相當於Black Diamond(Applied Materials公司)、Coral(Novellus公司)、Aurora(ASM公司)等)等。 (第1實施形態)
    圖2係顯示第1實施形態的處理方法之流程圖。
    首先，開啟門閥43，透過晶圓移入移出口42將具有形成有蝕刻損傷或灰化損傷的多孔Low-k膜之晶圓W移入腔室11，並載置於已加熱至既定溫度的載置台12之上(步驟1)。而將腔室11內排氣以使其為既定壓力的真空狀態(步驟2)。
    其次，藉由氣體壓送等，使第1藥劑從第1藥劑儲存部30通過第1藥劑配管29供給至汽化器26，使在汽化器26汽化所形成的DMC等第1處理氣體通過第1處理氣體配管23供給至氣體供給配管21；同時藉由氣體壓送等，使第2藥劑從第2藥劑儲存部36通過第2藥劑配管35供給至汽化器32，使在汽化器32汽化所形成的TMSDMA等第2處理氣體通過第2處理氣體配管24供給至氣體供給配管21，並將此等氣體通過氣體導入頭20的氣體流路22導入腔室11(步驟3)。
    此時，亦隨著第1處理氣體以及第2處理氣體，將N2氣體等稀釋氣體從稀釋氣體供給源38通過稀釋氣體供給配管25、氣體供給配管21以及氣體流路22導入腔室11內。
    在步驟3中，宜令第1處理氣體的流量為100~2000sccm，第2處理氣體的流量為100~2000sccm，稀釋氣體的流量為0~3000sccm。又，亦可使用依據該等流量以既定比例混合了第1處理氣體用藥劑與第2處理氣體用藥劑之混合藥劑，亦可於其中附加稀釋氣體來使用。
    當腔室11內達到處理壓力時，則停止第1處理氣體以及第2處理氣體的供給，將第1處理氣體以及第2處理氣體封入腔室11內，將腔室11內的壓力維持在處理壓力，進行Low-k膜的復原處理(步驟4)。此復原處理中晶圓W的溫度，宜為150~300℃。又，復原處理時腔室內的壓力宜為667~4000Pa(5~30Torr)。再者，復原處理時間宜為10~420sec左右。
    如此復原處理結束後，由排氣機構46將腔室11內排氣，並且將稀釋氣體作為沖洗氣體從稀釋氣體供給源38導入腔室11內，以進行腔室11內的沖洗(步驟5)，其後開啟門閥43將復原處理後的晶圓W從晶圓移入移出口42移出(步驟6)。 (第2實施形態)
    圖3係顯示第2實施形態的處理方法之流程圖。
    在本實施形態中，與第1實施形態相同，將具有形成有損傷的多孔Low-k膜之晶圓W移入腔室11，並載置於已加熱至既定溫度的載置台12之上(步驟1)，並將腔室11內排氣以使其為既定壓力的真空狀態(步驟2)。
    其次，藉由氣體壓送等，使第1藥劑從第1藥劑儲存部30通過第1藥劑配管29供給至汽化器26，使在汽化器26汽化所形成的DMC等第1處理氣體通過第1處理氣體配管23供給至氣體供給配管21，並通過氣體導入頭20的氣體流路22導入腔室11(步驟3-1)。此時，亦隨著第1處理氣體供給稀釋氣體。另，宜令第1處理氣體的流量為100~2000sccm，稀釋氣體的流量為0~3000sccm，腔室內壓力為400~13332Pa(3~100Torr)。
    進行既定時間步驟3-1之後，停止第1處理氣體，例如維持腔室11內的壓力不變，切換至第2處理氣體。亦即，藉由氣體壓送等，使第2藥劑從第2藥劑儲存部36通過第2藥劑配管35供給至汽化器32，使在汽化器32汽化所形成的TMSDMA等第2處理氣體通過第2處理氣體配管24供給至氣體供給配管21，並通過氣體導入頭20的氣體流路22導入腔室11(步驟3-2)。此時，亦隨著第2處理氣體供給稀釋氣體。另，宜令第2處理氣體的流量為100~2000sccm，稀釋氣體的流量為0~3000sccm。亦可將第1處理氣體沖洗之後，導入第2處理氣體。
    當腔室11內達到處理壓力時，則停止第2處理氣體的供給，關閉開閉閥48，將第2處理氣體封入腔室11內，將腔室11內的壓力維持在處理壓力，進行Low-k膜的復原處理(步驟4’)。此復原處理中晶圓W的溫度，宜為150~300℃。又，復原處理時腔室內的壓力宜為667~4000Pa(5~30Torr)。再者，復原處理時間宜為10~420sec左右。
    如此復原處理結束後，與第1實施形態同樣地進行腔室11內的沖洗(步驟5)，其後將復原處理後的晶圓W移出(步驟6)。 <機制及效果>
    圖4係顯示習知的復原處理及本發明的復原處理之模式之示意圖。如圖4(a)所示，若多孔Low-k膜中因蝕刻或灰化而產生損傷，則原本1~2nm的孔洞因損傷而變成大於2nm的徑長，內部的孔洞呈親水性，其中會吸附水分。亦即，產生了損傷的損傷層中會含有水分。然而，如圖4(b)所示，即使在此狀態下使習用至今的TMSDMA汽化來進行復原處理，而此種藥劑由於分子較大故無法到達損傷層的內部。因此，如圖4(c)所示，僅有表面形成疏水性的緻密改質層，損傷層的內部仍為受到損傷的親水性狀態，故呈現由緻密改質層使水分封入損傷層的狀態。
    相對於此，在上述第1及第2實施形態中，作為第1處理氣體則使用：其分子小至滲透至損傷層的內部之程度、並具有在孔洞內產生脫水反應來去除(固定)孔洞內部水分之作用之氣體，例如DMC；作為第2處理氣體則使用：藉由甲基(-CH3)來將自以往以來用於復原處理的損傷層的表面部分加以復原(修復)而於多孔Low-k膜的表面形成緻密膜之氣體，例如TMSDMA，故從圖4(d)所示形成有損傷層的狀態中，如圖4(e)所示，供給第1處理氣體(DMC)以及第2處理氣體(TMSDMA)時，第1處理氣體(DMC)滲透至損傷層內部，第2處理氣體(TMSDMA)在損傷層表面產生反應，如圖4(f)所示，第1處理氣體在損傷層內將水分固定並形成脫水生成物來將水分去除，第2處理氣體在損傷層表面形成疏水性且緻密的改質層。因此，可在損傷層表面上使損傷復原而k值(相對介電常數)或漏電流值降低，同時藉由疏水性且緻密的改質層，不讓新的水分進入膜內，而維持少許的多孔Low-k膜內的水分，可防止Low-k膜的水分導致金屬阻障層或配線等氧化。
    以往，DMC亦具有甲基，故DMC係作為復原處理的處理氣體而受人期待，但其為弱酸物質，故實際上幾乎不會解離，不會與損傷層產生反應。又，僅使用DMC進行處理時，若其後取出至大氣環境氣氛下，則損傷層中的DMC分子放出至大氣中而回到處理前的狀態，水分再次進到損傷層中。
    另，如第1實施形態，將第1處理氣體及第2處理氣體同時導入時，對第1處理氣體的損傷層之滲透與第2處理氣體所進行的復原處理係同時進行，但第2處理氣體所進行的復原處理，由於在腔室內呈既定壓力之後穩定地進行，故可在第1處理氣體滲透至損傷層而產生脫水反應之後由第2處理氣體形成緻密改質層。但是，如第2實施形態，依序進行第1處理氣體的導入與第2處理氣體的導入，可較增加對第1處理氣體的損傷層之處理量，可更加提高損傷層的脫水效果。 <實驗結果>
    其次，以下說明由實驗確認了本發明效果之結果。
    首先，在使用BD2(k值=2.5)作為Low-k膜，並藉由蝕刻以及灰化予以損傷之後，藉由習知方法僅使用TMSDMA在壓力50Torr下進行復原處理時，以及依照本發明將第1處理氣體即DMC與第2處理氣體即TMSDMA以體積比80：20進行復原處理時，測定k值、漏電流值、膜中的水分量。
    其結果示於圖5。另，水分量係由FT-IR所測定。如圖5所示，確認了依照本發明使用第1處理氣體即DMC與第2處理氣體即TMSDMA時，可將k值以及漏電流值維持在與以往同等的低值，並且減少膜中的水分量。
    其次，掌握了改變TMSDMA氣體與DMC之比率來進行復原處理時的漏電流值。其結果示於圖6。如該圖所示，可知若越使第2處理氣體即TMSDMA的濃度減少，則漏電流值越低。可推測此乃第1處理氣體的DMC濃度提高，由於DMC的脫水效果使膜中的水分更大量去除之故。
    另，使用上述的重氮甲烷(CH2N2)作為第1處理氣體時，重氮甲烷(CH2N2)可在TMSDMA無法達到的深層進行疏水化處理(廣義的脫水處理)，可與其組合來藉由TMSDMA進行緻密化處理。 <其他適用>
    另，本發明並不限於上述實施形態，可為各種變形。例如，在上述實施形態中，雖顯示了主要使用DMC作為第1處理氣體，使用TMSDMA作為第2處理氣體之例，但只要具有上述作用便不限於此。又，適用於本發明的多孔Low-k膜，亦不限於上述例示，只要受到損傷仍存在有OH基即可適用。再者，上述實施形態，在復原處理時，係將腔室內完全密封，但亦可使用自動壓力控制閥來進行壓力控制，並且進行復原處理。
    又進而，在上述實施形態中，雖顯示了使用半導體晶圓作為被處理基板之例，但並不限於此，亦可為FPD(Flat Panel Display)用基板等、其他基板。
    1‧‧‧處理裝置
    11‧‧‧腔室
    12‧‧‧載置台
    13‧‧‧支持構件
    15‧‧‧加熱器
    16‧‧‧加熱器電源
    18‧‧‧晶圓支持銷
    19‧‧‧封蓋
    20‧‧‧氣體導入頭
    21‧‧‧氣體供給配管
    22‧‧‧氣體流路
    23‧‧‧第1處理氣體配管
    24‧‧‧第2處理氣體配管
    25‧‧‧稀釋氣體供給配管
    26‧‧‧汽化器
    27‧‧‧質量流量控制器
    28‧‧‧閘閥
    29‧‧‧第1藥劑配管
    30‧‧‧第1藥劑儲存部
    31‧‧‧閘閥
    32‧‧‧汽化器
    33‧‧‧質量流量控制器
    34‧‧‧閘閥
    35‧‧‧第2藥劑配管
    36‧‧‧第2藥劑儲存部
    37‧‧‧閘閥
    38‧‧‧稀釋氣體供給源
    39‧‧‧質量流量控制器
    40‧‧‧閘閥
    42‧‧‧晶圓移入移出口
    43‧‧‧門閥
    44‧‧‧排氣口
    45‧‧‧排氣管
    46‧‧‧排氣機構
    47‧‧‧自動壓力控制閥(APC)
    48‧‧‧開閉閥
    50‧‧‧控制部
    51‧‧‧製程控制器
    52‧‧‧使用者介面
    53‧‧‧記憶部(記憶媒體)
    W‧‧‧晶圓
    圖1係顯示用以依實施本發明實施形態的方法之處理裝置的一例之剖面圖。
    圖2係顯示第1實施形態的處理方法之流程圖。
    圖3係顯示第2實施形態的處理方法之流程圖。
    圖4(a)~(f)係顯示習知的復原處理及本發明的復原處理之模式之示意圖。
    圖5係藉由習知方法僅使用TMSDMA來進行復原處理時，以及依照本發明使用第1處理氣體即DMC與第2處理氣體即TMSDMA來進行復原處理時，測定k值、漏電流值、膜中的水分量之結果顯示圖。
    圖6係掌握了改變TMSDMA氣體與DMC之比率來進行復原處理時的漏電流值之結果顯示圖。
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種處理方法，對形成於被處理基板上並於表面部分具有損傷層的低介電常數膜施行復原處理；其特徵在於：使第1處理氣體以及第2處理氣體作用於該低介電常數膜的該損傷層；該第1處理氣體，其分子小至可滲透至該低介電常數膜的該損傷層內部之程度，並可去除該損傷層內的水分；該第2處理氣體，於該損傷層的表面形成疏水性且緻密的改質層。
    [2] 如申請專利範圍第1項之處理方法，其中，使該第1處理氣體以及該第2處理氣體在混合狀態下作用於該損傷層。
    [3] 如申請專利範圍第1項之處理方法，其中，以該第1處理氣體進行處理之後，再以該第2處理氣體進行處理。
    [4] 如申請專利範圍第1至3項中任一項之處理方法，其中，該第1處理氣體，乃是其分子進入損傷層內部使脫水反應產生。
    [5] 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理方法，其中，該第2處理氣體含有Si及/或C，並藉由甲基使該損傷層表面部分復原。
    [6] 如申請專利範圍第1至5項中任一項之處理方法，其中，該第1處理氣體為DMC，該第2處理氣體為TMSDMA。
    [7] 一種記憶媒體，記憶有用以在電腦上動作來控制處理裝置的程式，其特徵在於：該程式在執行時，使電腦控制該處理裝置，以進行如申請專利範圍第1至6項中任一項之處理方法。
    类似技术:
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    同族专利:
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    TWI571934B|2017-02-21|
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    引用文献:
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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